silvaco学习记录（九）GaNdiode的瞬态正弦波信号仿真

最近在看微波注入信号的方面文章，发现常用的就是阶跃信号和正弦波信号，在atlas中阶跃信号可以很方便的直接加在电极上，但当我学习到正弦波信号的时候，耗费了很长时间，我起初在手册里看到了sin相关的语句，在deckbuild中应用时，根本就识别不了，花费了一天时间，在这里提一嘴，ai真是纯瞎编，就算我把手册喂给它，它也不知道会不会就乱说，反正就是不要轻易相信ai。起码我目前在silvaco上是这样人为的。

进入正题

我发现在silvaco中施加正弦信号是基于内部的mixmode混合模式才行，是在电路层级进行外加正弦波电压源，接到我们先前所仿真的diode模型上的，并不是直接的加在电极上，与上篇分享的电极施加阶跃信号完全不同，所以我在明白这些之后，开始学习和仿真

所以今天的内容就是介绍在GaNdiode上施加正弦电压信号

# (c) Silvaco Inc., 2018 go atlas simflags="-P 3" # Sweep increment mesh width=100 # x plane meshing x.m l=0.0 s=0.25 x.m l=0.5 s=0.05 x.m l=1.0 s=0.15 x.m l=3.5 s=0.15 x.m l=5.5 s=0.15 x.m l=8 s=0.15 x.m l=8.5 s=0.05 x.m l=9 s=0.25 # y plane meshing y.m l=0 s=0.25 y.m l=0.5 s=0.15 y.m l=0.550 s=0.05 y.m l=0.6 s=0.05 y.m l=0.7 s=0.15 y.m l=1.0 s=0.20 y.m l=2.0 s=0.25 region num=2 x.min=0 x.max=9 y.min=0.0 y.max=0.5 mat=nitride insulator region num=1 x.min=0 x.max=9 y.min=0.5 y.max=0.550 mat=AlGaN x.comp=0.3 region num=4 x.min=0 x.max=9 y.min=0.550 y.max=1.000 mat=GaN region num=3 x.min=0 x.max=9 y.min=1.000 y.max=2.0 mat=GaN substrate elec num=1 name=anode x.min=0 x.max=0.5 y.min=0 y.max=0.6 elec num=2 name=cathode x.min=8.5 x.max=9 y.min=0 y.max=0.6 solve init save outf=GaNdiode.str #以上就是我先构建的二极管模型 #以下就是进入silvaco的mixmode混合模式，开展电路模拟信号施加 go atlas .BEGIN v1 1 0 sin 0 200 1e9 0 0 r1 1 2 5 #器件 节点 节点 真值，在电路上的原件都是按照节点相同相连，默认0节点接地，各个真值有专门的表达形式 adiode 2=anode 0=cathode width=100 infile=GaNdiode.str .log outfile=sin_2.log .tran 1ns 5ns .save outfile=sin.str .end contact device=adiode name=anode work=4.8 contact device=adiode name=cathode work=3.93 material device=adiode material=GaN affinity=3.95 models device=adiode polarization calc.strain polar.scale=0.8 impact device=adiode selb thermcontact device=adiode name=anode ext.temper=300 thermcontact device=adiode name=cathode ext.temper=300 models device=adiode conmob srh auger bgn fermi lat.temp method newton carriers=2 go atlas go atlas tonyplot sin.str quit

上述就是我的代码，实测可以跑通，在这里提一嘴，我是验证方法的使用，因为我的模型并没有跟实际拟合，我只是在学习如何施加正弦信号，进行瞬态仿真，有时候大家就是缺一副示例代码，然后看着手册自己慢慢学就好了，至于模型的正确性我还没有拟合过，一开始就是想搞懂正弦如何施加，后来花费的时间久了，就一直在看，好在今天算是搞会了，之后可以用

附上我的仿真结果

1.振幅10V 频率1GHZ正弦信号

非常的正弦，再附上温度和二极管阳极电流

温度是螺旋式上升的，复合理论设想

阳极电流也很好看，负半周期时电流很小

2.振幅200V 频率1GHZ的正弦信号，电压，温度，阳极电流

可以看到信号都很正常，但因为振幅的区别，会导致温度累积以及电流负半周期的不同，这些就是器件受到微波冲击的关键参数研究。

今天的分享就结束了，以上都很浅薄的，仅供学习参考，后面up可能需要学sentaurus，因为有个项目甲方指定要用sen，多学一学，不能丢人啊，相信自己