典型的全控型器件
门极可关断晶闸管GTO
晶闸管的一种派生器件;
通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;
开关速度快，饱和程度相比晶闸管浅，更容易退出饱和关断;
电压电流容量大，与普通晶闸管接近。
图左是晶闸管 ， 图右是GTO
主要参数
最大可关断阳极电流IAT0
用来标称GT0额定电流。
电流关断增益βoff
最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGMf之比。
βoff一般很小，只有5左右，这是GT0的一个主要缺点。
原因：如果最大可关断阳极电流是1000A的话，如果我们想要关断这个器件，就要施加200A的电压
电力晶体管GTR
在应用中，GTR一般采用共发射极接法。
集电极电流Ic与基极电流Ib之比为
β是电流放大系数
给这张图要知道每个区在什么位置
GTR的工作区域:饱和区和截止区
GTR导通时通常工作在准饱和区:此时容易退出饱和状态实现迅速关断;
为了避免工作在放大区功耗过大而损害器件，在导通截止两种状态转化过程中应该迅速通过放大区。
二次击穿现象
当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要I不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏。
但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，I.增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏。内部出现电流集中点，引起局部过热使GTR彻底损坏，管壳却觉不到热。对GTR危害极大。
安全工作区（SOA）
了解即可
二次击穿临界线Psb
最高电压UceM
集电极最大电流IcM
最大集电极耗散功率PcM
电力场效应晶体管
小功率MOS管（模电）是横向导电器件，电力MOSFET（电力电子）大都采用垂直导电结构，面积大，电流大
多胞结构
栅极绝缘
低掺杂，电阻率大，耐压高;电力场效应管是一种单极性器件，所以无电导调制效应，通态电阻大
反并联的二极管
输出特性:是漏极伏安特性。
非饱和区(对应于GTR的饱和区)，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。
饱和区(对应于GTR的放大区)饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加
截止区(对应于GTR的截止区)
通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
绝缘栅双极晶体管IGBT![]()
IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的PNP晶体管。
优缺点（IGBT ， GTR ， GTO ，MSOFET）
IGBT:电压驱动，驱动功率小，开关速度低于电力MOSFET，电流容量低于GTO
GTR :电流驱动，驱动功率大，开关速度低，耐压高，电流大
GTO：电流驱动，驱动功率大，具有电导调制效应，电流增益小，开关速度低，
电力MOSFET：开关速度高，电压驱动 ，驱动简单，适用于10kw的电力电子装置